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詞條說明
實現業界高額定電壓范圍50V到630V,以及靜電容量范圍100pF到220nF。可抗惡劣的高溫環境,150℃溫度的保證。符合AEC-Q200標準及ROHS指令要求。已經宣布了將研發支持車載、溫度補償用NPO特性的150℃溫度保證,積層陶瓷電容器的新產品陣容。 近年來,對于汽車用途的電子元件的市場需求正隨著電動汽車、混合動力車的普及,逐漸向電子化,以及高密集實裝帶來的電子元件的小型化、大容量化、高
在兩塊距離較近、互相平行的金屬平板上平板之間為電介質加載一個直流電壓,穩定后。 與電壓正極相連的金屬平板將形成一定量的正電荷,而與電壓負極相連的金屬平板將形成相等量的負電荷。 如此,兩個金屬平板之間就會呈現一個靜電場,因此電容是以電場能的樣式儲存電能量,儲存的電荷量為Q。 薄膜電容是通過將兩片帶有金屬電極的塑料膜卷繞成一個圓柱形,最后封裝成型,因為其介質一般是塑料材料,也稱作塑料薄膜電容。 金屬
壓敏電阻在導通前的電阻值非常大,可視為電介質,兩個電極間存在著納法級的電容,需要格外注意。 也正是由于這個原因,壓敏電阻器少用于高頻電路和數字電路中。 通流容量,即峰值電流值,即壓敏電阻能夠承受的波形為8/20uS的浪涌電流峰值。 目前壓敏電阻器的手冊中通常給出兩個能量容量的參數,一個是一次8/20uS浪涌沖擊指標,一個是兩次8/20uS浪涌沖擊指標。 響應時間,一般意義上是指一個器件從外界觸發
類似半導體產業或者薄膜物理這種任意面積遠大于厚度的情形中,貼片RB薄膜有著廣泛的應用。晶片上常用堆積有納米級厚度的薄膜,如果要注意這些薄膜的電阻阻值,就需要使用到薄膜RB電阻這一概念了比方,發光二級體的制造中,二較體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二較體的發光效率,所以需要將金屬半導體的接觸電阻小化,利用傳輸線模型丈量法以及四腳探針丈量法,就能夠確定金屬下方半導體層的薄膜電阻
公司名: 深圳市新晨陽電子有限公司
聯系人: 羅智能
電 話: 0755-28682867
手 機: 15622766976
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