微納加工應用

時間：2020-04-14

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
測試補貼最高90%
在北京地區注冊，具有獨立法人資格，在職正式職工不多于100人，營業收入1000萬元以下，注冊資金不**2000萬元，具有健全的財務機構，管理規范，無不良誠信記錄；每年度符合補貼要求的業務合同金額在 10萬元及以下的部分按照較高不**過90%的比例核定； **過10萬元至50萬元的部分按照較高不**過60%的比例核定； **過50萬元至100萬元的部分按照較高不**過30%的比例核定； **過100萬元以上的
微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分
芯片分析方法
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發生失效后首先使用的非破壞性
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離