KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
HVA 真空閥門用在氣體管路系統
某半導體工廠在生產線上氣體輸送環節的氣體管路系統采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
分子泵組應用于低溫真空探針臺
Pfeiffer?分子泵組應用于低溫真空探針臺真空探針臺一般用于復雜, 高速精密器件進行表面觀測以及各種性能測試的儀器, 通過測試可以產品的質量和性并縮減研發時間和器件制造工藝的成本. 探針臺主要應用于半導體行業, 光電行業, 集成電路以及封裝的測試為什么需要真空環境?1. 真空探針臺通過搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤及真空吸附探針座的使用, 通過空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由